পদার্থ বিজ্ঞানের জন্য উন্নত ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপি

এই কাগজ বর্তমান গবেষণা প্রবণতা উপস্থাপনউন্নত ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপি কৌশলপদার্থ বিজ্ঞানের জন্য। বিশেষ সংখ্যার ভিত্তিতে জরিপটি করা হয়উপকরণ লেনদেনঅক্টোবর 2019 এ প্রকাশিত (ভোল. 60, নং 10)। উন্নত ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপি ব্যাপকভাবে প্রয়োগ করা হয়েছে বিভিন্ন উপকরণের বৈশিষ্ট্যের জন্য। বৈদ্যুতিক বিশ্লেষণের সাম্প্রতিক বিকাশ এবং সম্প্রসারণফাইelds এবং দ্বারা সেকেন্ডারি ইলেকট্রন সমষ্টিগত গতিস্বাভাবিক স্থানে অবস্থিতইলেক্ট্রন হোলোগ্রাফি নিয়ে বিস্তারিত আলোচনা করা হয়েছে।[doi:10.2320/matertrans.MT-M2021086](14 মে, 2021-এ গৃহীত; 12 জুলাই, 2021-এ গৃহীত; 3 সেপ্টেম্বর, 2021-এ প্রকাশিত)

কীওয়ার্ড:ইলেক্ট্রন হলোগ্রাফি, গতিশীল বিচ্ছুরণ, সিটু পরীক্ষায়, বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র, সেকেন্ডারি ইলেক্ট্রন

সাপোর্টিভ সার্ভিস অফ ওয়েসিস্তানচে- চীনের বৃহত্তম সিস্টানচে রপ্তানিকারক:

ইমেল:wallence.suen@wecistanche.com

Whatsapp/টেল:+86 15292862950

আরও নির্দিষ্ট বিবরণের জন্য কেনাকাটা করুন:

https://www.xjcistanche.com/cistanche-shop

কিডনির কার্যকারিতার জন্য 25% ইচিনাকোসাইড এবং 9% অ্যাকটিওসাইড সহ প্রাকৃতিক জৈব সিস্টানচে নির্যাস পেতে এখানে ক্লিক করুন

1। পরিচিতি

সংক্রমণ ইলেক্ট্রন অনুবীক্ষণ(TEM) বিভিন্ন মাইক্রোস্ট্রাকচার স্পষ্ট করতে ব্যবহার করা হয়েছেকার্যকরী উপকরণ, এবংউচ্চ রেজল্যুশনTEM15) সরাসরি পারমাণবিক ব্যবস্থা পর্যবেক্ষণ করতে ব্যবহার করা হয়েছে। ঘটনা ইলেক্ট্রন রশ্মি বরাবর প্রক্ষিপ্ত এই ধরনের বিশদ পারমাণবিক বিন্যাসগুলি 0.1 এনএম-এর কম রেজোলিউশন সীমার সাথে পর্যবেক্ষণ করা যেতে পারে। 0.1 এনএম এবং বিম স্ক্যানিং সিস্টেমের চেয়ে ছোট মাইক্রোপ্রোব ব্যবহার করে, স্ক্যানিং ট্রান্সমিশনইলেক্ট্রন অনুবীক্ষণ(STEM) প্রাপ্তির জন্য ব্যবহৃত হয়পারমাণবিক-স্তরের মৌলিক ম্যাপিং.69) রেজোলিউশনের এই উন্নতির পাশাপাশি, গবেষকরা নমুনার ভিতর এবং বাইরে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ফিল্ডের বন্টন বিশ্লেষণ করার কৌশলগুলি তৈরি করেছেন যা নমুনার ফেজ তথ্যের উপর ফোকাস করে।ঘটনা ইলেকট্রন মরীচি. একটি সাধারণ কৌশল হল ইলেক্ট্রন হলোগ্রাফি, যা ইলেক্ট্রন তরঙ্গের হস্তক্ষেপ ব্যবহার করে।1013)

যদিও পদার্থ বিজ্ঞানে TEM-এর অ্যাপ্লিকেশনের বর্ণনা সহ অসংখ্য পর্যালোচনা এবং ওভারভিউ পেপার পাওয়া যায়, তবে 4,14,15) অক্টোবর 2019-এ ম্যাটেরিয়ালস লেনদেন (ভোল. 60, নং 10) শিরোনামে একটি বিশেষ সংখ্যা প্রকাশিত হয়েছিল "পদার্থ বিজ্ঞানের জন্য উন্নত ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপি কৌশলগুলির বিকাশ এবং প্রয়োগ"। এই বিশেষ সংখ্যাটিতে মোট পাঁচটি নিবন্ধ রয়েছে যা ইলেকট্রনের তরঙ্গ আচরণের উপর গবেষণা কভার করে) এবং ইলেকট্রন হলোগ্রাফি ব্যবহার করে উপকরণ এবং ডিভাইসের বিশ্লেষণ। -এঙ্গেল অ্যানুলার ডার্ক ফিল্ড (HAADF) স্টেম পর্যবেক্ষণে ব্যবহার করা হয়েছেচার্জড-ডোমেন দেয়াল চিহ্নিত করুন(CDWs) ফেরোইলেক্ট্রিক পদার্থে।20) উপরন্তু, বিস্তৃত TEM-ভিত্তিক বিশ্লেষণ সম্প্রতি প্রকাশিত হয়েছে।2123)

এই বিশেষ সংখ্যাটি প্রকাশিত হওয়ার আগে, তোহোকু ইউনিভার্সিটির ইনস্টিটিউট অফ মাল্টিডিসিপ্লিনারি রিসার্চ ফর অ্যাডভান্সড ম্যাটেরিয়ালস-এ ম্যাটেরিয়ালস সায়েন্স অ্যান্ড ইঞ্জিনিয়ারিং রিসার্চ সোসাইটির 27 তম সভা অনুষ্ঠিত হয়েছিল, যার থিম ছিল "সামগ্রিক বৈশিষ্ট্য এবং মাইক্রোস্কোপি প্রযুক্তির সাম্প্রতিক প্রবণতা"। এই বিশেষ সংখ্যাটি সভার অংশগ্রহণকারীদের মধ্যে থেকে কিছু কাগজপত্র সংগ্রহ করে একত্রিত করা হয়েছিল। ইলেক্ট্রন হোলোগ্রাফি সম্পর্কে, পর্যালোচনা নিবন্ধগুলি উপলব্ধ রয়েছে৷ 13,24) এছাড়াও, "ইলেক্ট্রন ইন্টারফারেন্স মাইক্রোস্কোপি" এর একটি মাইক্রোস্কোপি বিশেষ সংখ্যা সম্প্রতি প্রকাশিত হয়েছে৷ 2535) নিম্নলিখিত বিভাগে, আমরা উপাদান লেনদেনের বিশেষ সংখ্যাটি পর্যালোচনা করি (ভোল. 60, নং 10), এবং বিশেষ সমস্যা সম্পর্কিত আমাদের গবেষণা গোষ্ঠীর সাম্প্রতিক গবেষণা বিকাশগুলি উপস্থাপন করুন।

2. বিশেষ ইস্যু পর্যালোচনা

2.1 ইলেক্ট্রন ঘূর্ণি বিম তৈরি এবং নিয়ন্ত্রণ

"পদার্থ বিজ্ঞানের জন্য উন্নত ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপি টেকনিকের উন্নয়ন এবং প্রয়োগ" বিষয়ক বিশেষ উপাদান লেনদেন ইস্যুতে, Harada et al.16) স্পষ্ট করার জন্য ফোকাস-আয়ন-বিম (FIB) যন্ত্র দ্বারা নির্মিত কাঁটা-আকৃতির গ্রেটিং ব্যবহার করে ঘূর্ণি বীম তৈরি করার রিপোর্ট করেছে ঘূর্ণি beams কর্মক্ষমতা. তারা একটি ছোট-কোণ ইলেক্ট্রন বিচ্ছুরণ অপটিক্যাল সিস্টেম ব্যবহার করে ঘূর্ণি রশ্মি তৈরি করেছে36) এবং খোলার আকার এবং আকার পরিবর্তন করে সফলভাবে ঘূর্ণি রশ্মি নিয়ন্ত্রণ করেছে। ইলেক্ট্রন ঘূর্ণি রশ্মিগুলি ing3740 প্রচার করার সময় কৌণিক মোমেন্টা বহন করতে পারে) এবং সম্ভাব্যভাবে এর কৌণিক ভরবেগের কারণে নমুনা সমতলে লম্বভাবে চৌম্বকীয় প্রবাহ সনাক্ত করতে ব্যবহার করা যেতে পারে, এছাড়াও প্লেনের অন্তর্গত উপাদানগুলি (ইলেক্ট্রন বিমের লম্ব) ছাড়াও Lorenz force.4143 এর কারণে চৌম্বকীয় প্রবাহ) উপরন্তু, ইলেক্ট্রন ঘূর্ণি বিমগুলি সম্ভাব্যভাবে মাইক্রোফ্যাব্রিকেশন এবং চুম্বকীয়করণ নিয়ন্ত্রণের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে। এই সম্ভাব্য প্রয়োগগুলি ইঙ্গিত করে যে ইলেক্ট্রন ঘূর্ণি রশ্মি এবং অন্যান্য বর্ধিত ইলেক্ট্রন বিম যেমন বেসেল বিমগুলি সম্ভাব্য পরবর্তী প্রজন্মের ইলেক্ট্রন বিম প্রযুক্তি৷4447)

2.2 ইলেক্ট্রন ফেজ শিফটে গতিশীল ইলেক্ট্রন বিচ্ছুরণের প্রভাব

উপরে উল্লিখিত উপাদান লেনদেন বিশেষ সমস্যা Akase et al অন্তর্ভুক্ত.' 17) একটি ব্র্যাগ ডিফ্র্যাকশন অবস্থার চারপাশে একক-ক্রিস্টাল সি-এর একটি কীলক-আকৃতির নমুনা থেকে রেকর্ড করা ইলেকট্রন হলোগ্রামে ফেজ শিফট 4851-এ গতিশীল ইলেক্ট্রন বিচ্ছুরণের প্রভাবের তদন্ত। তাদের ফলাফলগুলি দেখায় যে কার্যকর অভ্যন্তরীণ সম্ভাবনা ঘটনা ইলেক্ট্রন মরীচির দিকের উপর নির্ভর করে, বিশেষ করে ব্র্যাগ অবস্থার কাছাকাছি। বৈদ্যুতিক বিচ্ছুরণের গতিশীল তত্ত্ব ব্যবহার করে বৈশিষ্ট্যগত ফেজ স্থানান্তর বিশ্লেষণ করা হয়েছে। 52)

চিত্র 1 উজ্জ্বল-ক্ষেত্র চিত্র, পুনর্গঠিত ফেজ চিত্র এবং ফেজ-শিফ্ট প্রোফাইলগুলি (a) ছাড়া এবং (b) 220 ব্র্যাগ শর্ত সহ দেখায়। যখন নমুনাটি ব্র্যাগ অবস্থাকে সন্তুষ্ট করে না, তখন নমুনার পুরুত্বের অনুপাতে ফেজ শিফট বৃদ্ধি পায়, যেমন চিত্র 1(a) এ দেখানো হয়েছে। যাইহোক, যখন নমুনাটি 220 ব্র্যাগ অবস্থাকে সন্তুষ্ট করে, যেমন চিত্র 1(b) তে দেখানো হয়েছে, ফেজ-শিফ্টটি সেই অবস্থানে ³ রেডিয়ান জাম্প করে যেখানে সংশ্লিষ্ট উজ্জ্বল-ক্ষেত্রের চিত্রে অন্ধকার পুরুত্বের প্রান্তগুলি উপস্থিত হয়। এই ³ রেডিয়ান জাম্পগুলিকে ইলেক্ট্রন বিচ্ছুরণের গতিশীল তত্ত্ব দ্বারা ব্যাখ্যা করা যেতে পারে, যেমনটি চিত্র 2-এ দেখানো হয়েছে। চিত্র 2-এর প্রতিটি কলাম বিভিন্ন বিচ্ছুরণ অবস্থা দেখায়। উপরের সারিতে ¼0 exp(¹2³i«t) এর জটিল মানের প্লট দেখায় একটি প্যারামিটার হিসাবে t বেধের সাথে, যেখানে ¼0 হল বস্তুর তরঙ্গের একটি তরঙ্গ ফাংশন এবং » ভ্যাকুয়ামে ইলেকট্রনের ঘটনা ঘটার জন্য তরঙ্গ সংখ্যা ভেক্টর। এই জটিল মানের প্রশস্ততা তীব্রতার বর্গমূলের সাথে মিলে যায় এবং জটিল মানের কোণটি ফেজ শিফটের সাথে মিলে যায়। পুরুত্ব 0 থেকে 300 nm পর্যন্ত। 2080 এনএম-এর সাথে সম্পর্কিত ডেটা চিত্র 2-এ লাল গাঢ় রেখা হিসাবে প্লট করা হয়েছে। মাঝখানে এবং নীচের সারিগুলি যথাক্রমে পুরুত্ব t-এর ফাংশন হিসাবে প্লট করা তীব্রতা এবং ফেজ শিফট দেখায়। চিত্র 2-এর কেন্দ্র কলামে, নমুনাটি একটি সঠিক 220 ব্র্যাগ ডিফ্র্যাকশন অবস্থার অধীনে রয়েছে, যেখানে ¼0 exp(¹2³i«t) এর ট্রাজেক্টোরি জটিল সমতলের উৎপত্তিকে ছেদ করে। ছেদটির পুরুত্বে, জটিল মানের প্রশস্ততা শূন্য; উজ্জ্বল ক্ষেত্রের চিত্রে সংশ্লিষ্ট অবস্থান তাই অন্ধকার দেখায়। উল্লেখযোগ্যভাবে, ¼0 exp(¹2³i«t) এর পর্যায়টি জটিল সমতলের উৎপত্তি জুড়ে উল্টে গেছে। অতএব, ফেজ শিফট প্রোফাইল অন্ধকার বেধের প্রান্তে ³ এর লাফ দেখায়। চিত্র 2-এর বাম এবং ডান কলামগুলি ফলাফল দেখায় যখন 220 প্রতিফলনের উত্তেজনা ত্রুটির চিহ্ন যথাক্রমে নেতিবাচক এবং ইতিবাচক হয়। এই ক্ষেত্রে, উজ্জ্বল-ক্ষেত্রের ছবিতে একটি পুরুত্বের প্রান্তও উপস্থিত হয়; যাইহোক, অন্ধকার প্রান্তের তীব্রতা শূন্য হয়ে যায় না (চিত্র 2-এর একটি মাঝারি সারি দেখুন), এবং ফেজ-শিফ্ট প্রোফাইলে কোনও লাফ দেখা যায় না (চিত্র 2-এর একটি নিম্ন সারি দেখুন)। উল্লেখযোগ্যভাবে, ফেজের গ্রেডিয়েন্ট বেধে স্থানান্তরিত হয়, অর্থাৎ, "কার্যকর অভ্যন্তরীণ সম্ভাবনা", 220 প্রতিফলনের উত্তেজনা ত্রুটির চিহ্নের উপর নির্ভর করে (চিত্র 2-এর একটি নিম্ন সারি দেখুন)। এই প্রবণতাটি বিভিন্ন ঘটনার বিমের দিকনির্দেশ সহ পরীক্ষামূলকভাবে পুনর্গঠিত ফেজ চিত্রগুলির একটি সিরিজ দ্বারা নিশ্চিত করা হয়েছিল।

2.3 মাল্টিলেয়ার সিরামিক ক্যাপাসিটরে অবক্ষেপের বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের বিশ্লেষণ

কাওয়ামোটো এট আল। মাল্টিলেয়ার সিরামিক ক্যাপাসিটর (MLCCs) এ উত্পাদিত সাবমাইক্রোমিটার প্রিসিপিটেটের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য নির্ধারণের জন্য ইলেক্ট্রন হোলোগ্রাফির উপর ভিত্তি করে একটি অনন্য চরিত্রায়ন পদ্ধতি প্রদর্শন করেছে। ১৮) তারা দেখিয়েছে যে সমতুল্য কনট্যুর লাইনগুলি সাবমাইক্রোন এন্টার-স্কেল প্রিসিপিটেটগুলির বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা সম্পর্কে প্রয়োজনীয় তথ্য উপস্থাপন করে। বাণিজ্যিক BaTiO3 MLCC গবেষকরা জানিয়েছেন যে যোগ করা Mg এবং বিরল-আর্থ উপাদানগুলি অস্তরক ধ্রুবকের তাপমাত্রা নির্ভরতা নিয়ন্ত্রণে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। 54) Si-rich ফেজ, 55) এবং অন্যান্য)। যেহেতু এই প্রিপিপিটেটগুলির অস্তরক ধ্রুবক রয়েছে যা BaTiO3 ম্যাট্রিক্সের থেকে উল্লেখযোগ্যভাবে আলাদা, তারা ক্যাপাসিটরের কর্মক্ষমতা হ্রাস করতে পারে। সুতরাং, সাবমাইক্রোমিটার-স্কেল অবক্ষেপণের আশেপাশে স্থানীয় বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলি অধ্যয়ন করা গুরুত্বপূর্ণ।

তাদের গবেষণায়, কাওয়ামোটো এট আল। TEM5658-এ মাইক্রোপ্রোব হ্যান্ডলিং সহ ইলেক্ট্রন হোলোগ্রাফি ব্যবহার করা হয়েছে) MLCCs59-এ গঠিত সাবমাইক্রোমিটার-স্কেল প্রিসিপিটেটগুলিকে চিহ্নিত করতে) এবং ক্ষতিকারক বৈদ্যুতিক ভাঙ্গন সৃষ্টিকারী বস্তুগুলি সনাক্ত করতে। চিত্র 3(a) একটি নি ক্যাথোড, একটি অস্তরক পদার্থ (BaTiO3) এবং একটি Ni anode সমন্বিত একটি স্ট্যাকড কনফিগারেশন সহ একটি পাতলা-ফয়েল নমুনা (20 µm © 6 µm © 100 nm) এর একটি পরিকল্পিত দেখায়। নোট করুন যে ক্যাথোড এবং অ্যানোড শারীরিকভাবে Pt প্রংগুলির সাথে সংযুক্ত, যেগুলি নমুনায় বৈদ্যুতিক ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হলে ধাতব PtIr প্রোবের দ্বারা যোগাযোগ করা হয়। চিত্র 3(b) নমুনার একটি ADF-STEM চিত্র দেখায়। গাঢ় বৈসাদৃশ্যের সাথে প্রদর্শিত একটি বর্ষণ একটি সবুজ তীর দ্বারা নির্দেশিত হয়। এনার্জি-ডিসপারসিভ এক্স-রে স্পেকট্রোস্কোপি (EDS) বিশ্লেষণ দেখায় যে এই প্রক্ষেপণটি Cr-এ সমৃদ্ধ এবং Si-তে দরিদ্র। চিত্র 3(c) হল 7 V এর কার্যকরী প্রয়োগকৃত ভোল্টেজের অধীনে একটি পুনর্গঠিত ফেজ চিত্র; এইভাবে, লেখকরা 3 V এর প্রয়োগকৃত ভোল্টেজের অধীনে অর্জিত ফেজ-শিফ্ট তথ্যকে 10 V-এর নীচে অর্জিত থেকে বিয়োগ করেছেন যাতে অবাঞ্ছিত ফেজ তথ্য যেমন অবক্ষয়ের অবস্থানে গড় অভ্যন্তরীণ সম্ভাবনার উল্লেখযোগ্য পরিবর্তন, নমুনার ঘনত্বের তারতম্য। , এবং Ni ইলেক্ট্রোড থেকে চৌম্বক ক্ষেত্র। উল্লেখযোগ্যভাবে, রেসিপিটেটের স্থানীয় এলাকায় কনট্যুর লাইনের ব্যবধান এবং দিকনির্দেশ উভয় ক্ষেত্রেই একটি পরিবর্তন ঘটেছে, যা অবক্ষেপ এবং BaTiO3 ম্যাট্রিক্সের মধ্যে বৈদ্যুতিক পরিবাহিতার পার্থক্যের জন্য দায়ী করা হয়েছিল। চিত্র 3(d) সসীম উপাদান পদ্ধতি (FEM) মডেলিংয়ের উপর ভিত্তি করে একটি দ্বি-মাত্রিক সিমুলেটেড বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের মানচিত্র দেখায়। এই মডেলে, অবক্ষেপণের বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা ·B ম্যাট্রিক্স ·M এর পরিবাহিতা থেকে যথেষ্ট ছোট। চিত্র 3(d) এর ফলাফলগুলি পর্যবেক্ষণের বেশ কয়েকটি বৈশিষ্ট্য ব্যাখ্যা করে (চিত্র 3(c)), যেমন অবক্ষয়ের মধ্যে কনট্যুর রেখাগুলির কম ব্যবধান এবং ম্যাট্রিক্স এলাকায় ব্যবধানে ধীরে ধীরে পরিবর্তন। Cr-সমৃদ্ধ পর্বের পরিবাহিতা ম্যাট্রিক্সের চেয়ে দুই বা তিনটি মাত্রার পরিমাণে ছোট হওয়া উচিত। এই পদ্ধতিটি জটিল মাইক্রোস্ট্রাকচার এবং শিল্পে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত ক্যাপাসিটরের উপাদান কার্যকারিতার মধ্যে সম্পর্কের গভীর বোঝার দিকে নিয়ে যেতে পারে।

2.4 ফেরোইলেক্ট্রিক উপাদানে চার্জড-ডোমেন দেয়ালের বৈশিষ্ট্য

নাকাজিমা এট আল.২০) টিইএম ব্যবহার করে Ca3¹xSrxTi2O7 (CSTO) এ CDW কাঠামো 60) পরীক্ষা করেছেন। CSTO-তে ফেরোইলেকট্রিসিটি প্রচলিত বৈদ্যুতিক মেরুকরণ পরিমাপ এবং পাইজোরস্পন্স ফোর্স মাইক্রোস্কোপি দ্বারা উভয়ই পরিলক্ষিত হয়েছে। 61) পরবর্তীতে মেরুতা এবং পরিবাহিতার ক্ষেত্রে CSTO-তে দুটি ধরণের CDW প্রকাশ করা হয়েছে: উচ্চ-পরিবাহিতা "মাথা থেকে মাথা" দেয়াল এবং নিম্ন-পরিবাহিতা। পরিবাহিতা "লেজ থেকে লেজ" দেয়াল। CDWs ডিভাইস অ্যাপ্লিকেশনের জন্য প্রতিশ্রুতিবদ্ধ কারণ তাদের রূপবিদ্যা এবং পরিবাহিতা বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র এবং অন্যান্য শারীরিক ঘটনা দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হতে পারে। CSTO এর বৈশিষ্ট্য। HAADF-STEM পর্যবেক্ষণগুলি পেরোভস্কাইট-গঠিত ব্লকগুলিতে স্ট্যাকিংয়ের অনিয়ম প্রদর্শন করেছে। অধিকন্তু, ইলেক্ট্রন হোলোগ্রাফি অনিয়মিত স্ট্যাকিংয়ের অঞ্চলগুলিকে প্রকাশ করেছে যা Sr বিষয়বস্তুর কারণে গড় অভ্যন্তরীণ সম্ভাবনার মধ্যে পরিবর্তন ঘটায়। এই মাইক্রোস্কোপি অধ্যয়নগুলি CSTO-তে ফেরোইলেক্ট্রিক ডোমেনগুলির বিকাশের প্রক্রিয়াগুলির আমাদের বোঝার উন্নতি করে।

2.5 চার্জযুক্ত ইপোক্সি ফিল্মের চারপাশে সেকেন্ডারি ইলেকট্রন বিশ্লেষণ

আমরা এখন পর্যন্ত বিভিন্ন বর্ণনা করেছিTEM কৌশলইলেক্ট্রন হলোগ্রাফি দ্বারা বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র পর্যবেক্ষণের পদ্ধতি সহ পদার্থ বিজ্ঞানের জন্য। এই অধ্যয়নের একটি সম্প্রসারণ হিসাবে, সবচেয়ে আকর্ষণীয় বিষয়গুলির মধ্যে একটি হল ইলেকট্রনের গতিকে কল্পনা করা কারণ ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ক্ষেত্রগুলি এই গতিগুলি থেকে উদ্ভূত হয়। এই গবেষণাগুলির মধ্যে প্রথম দিকে জৈবিক নমুনাগুলির উপর চার্জিং প্রভাবের উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করা হয়েছিল৷ 68,69) পরবর্তীকালে বিভিন্ন নিরোধক উপাদানগুলির জন্য ইলেক্ট্রনগুলির জমা এবং বন্টন পর্যবেক্ষণ করা হয়েছিল, তাদের পৃষ্ঠের উপর অত্যন্ত মনোযোগ দিয়ে৷

Sato et al.19) আল্ট্রা মাইক্রোটমি দ্বারা প্রস্তুত একটি চার্জযুক্ত ইপোক্সি ফিল্মের চারপাশে সেকেন্ডারি ইলেকট্রনের বন্টন অধ্যয়ন করেছে। চিত্র 4(a) ইপোক্সি রজন (গাঢ়-বাদামী অঞ্চল) এর একটি পাতলা ফিল্মের পুনর্গঠিত ফেজ চিত্র দেখায়। একটি সিমুলেটেড পুনর্গঠিত চিত্রের সাথে তুলনা করে নমুনার পৃষ্ঠের বৈদ্যুতিক সম্ভাবনা অনুমান করা হয়েছিল 1.2 V। যদিও নমুনার পৃষ্ঠে কোনও ধাতব উপাদান উপস্থিত ছিল না, তবে চার্জিং প্রভাবকে পর্যবেক্ষণ করা এলাকার কাছাকাছি নমুনা সমর্থন প্লেট থেকে মাধ্যমিক ইলেকট্রন দ্বারা বিকিরণ দ্বারা দমন করা বলে মনে করা হয়েছিল। চিত্র 4(b) তে পুনর্গঠিত প্রশস্ততা চিত্রটি ইপোক্সি রেজিনের পৃষ্ঠের চারপাশে লাল অঞ্চল দেখায়, যা ধনাত্মক চার্জযুক্ত নমুনার পৃষ্ঠের সাথে দৃঢ়ভাবে মিথস্ক্রিয়া করে সেকেন্ডারি ইলেকট্রনের উচ্চ ঘনত্বের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ বলে মনে করা হয়। বিশেষ করে, চিত্র 4(b) তে তীর দ্বারা নির্দেশিত অবতল অঞ্চলে, একটি উজ্জ্বল লাল অঞ্চল স্পষ্ট; এই অঞ্চলটি পৃষ্ঠের সাথে জমে থাকা সেকেন্ডারি ইলেকট্রনের মিথস্ক্রিয়ার কারণে একটি বৃহৎ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের ওঠানামার সাথে মিলে যায়। ইপোক্সি রেজিনের একটি হলোগ্রাম পর্যবেক্ষণ করার পরে, পাতলা নমুনার উভয় দিক একটি দুর্বল Ga+-আয়ন রশ্মি ব্যবহার করে একটি FIB সিস্টেমের সাথে বিকিরণ করা হয়েছিল। রশ্মির তীব্রতা ছিল 0.85 © 103 mC·m¹2, যা সাধারণত নমুনা পালিশ করার জন্য ব্যবহৃত হওয়ার চেয়ে 200 গুণ ছোট। চিত্র 4(c) তে পুনর্গঠিত ফেজ চিত্রটি দেখায় যে নমুনার বৈদ্যুতিক সম্ভাবনা সিমুলেশন ফলাফল অনুসারে 1.0 V হয়ে যায়। বিকিরণের আগে এবং পরে নমুনার বৈদ্যুতিক সম্ভাবনা উল্লেখযোগ্যভাবে আলাদা ছিল না কারণ একটি দুর্বল Ga+- আয়ন রশ্মি ব্যবহার করা হয়েছিল। চিত্র 4(d) এর পুনর্গঠিত প্রশস্ততা চিত্রে, চিত্র 4(b) তে পর্যবেক্ষণ করা রঙিন অঞ্চলগুলি আর দৃশ্যমান নয়। এইভাবে, ধনাত্মক চার্জযুক্ত ইপোক্সি রজনের পৃষ্ঠের সাথে দৃঢ়ভাবে যোগাযোগ করে এমন গৌণ ইলেকট্রনগুলির বিতরণ পৃষ্ঠে ধাতব উপাদানগুলির উপস্থিতির জন্য সংবেদনশীল।

চিত্র 4 (ক) আল্ট্রামাইক্রোটোম ইপোক্সি রেজিনের পুনর্গঠিত ফেজ চিত্র। (b) রেজিনের পুনর্গঠিত প্রশস্ততা চিত্র। (c) FIB প্রক্রিয়াকৃত রজনের পুনর্গঠিত ফেজ চিত্র। (d) FIB প্রক্রিয়াকৃত রেজিনের পুনর্গঠিত প্রশস্ততা চিত্র।19)