স্ট্যান্ডার্ড ইলেকট্রনিক সার্কিটগুলির ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ইমিউনিটি নির্ধারণের জন্য একটি নিম্ন-প্রযুক্তি ডিউ জেনারেটরের ডিজাইন এবং পরীক্ষা
Mar 24, 2023
বিমূর্ত:
এই নিবন্ধটি বৈদ্যুতিক শক্তি নেটওয়ার্কের সমস্ত মৌলিক উপাদানগুলির অপারেশনের উপর উচ্চ-শক্তি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক এনভায়রনমেন্ট (HPEMs) এর প্রভাব বর্ণনা করে। HPEM পরিবেশের জন্য ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড সংজ্ঞায়িত করা হয়। মনোযোগ বিশেষভাবে নির্দেশিত শক্তি অস্ত্র (DEWs) এবং ইচ্ছাকৃত ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ (IEMI) এর উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করা হয়। ই-ক্ষেত্র স্তরের পরিপ্রেক্ষিতে ডিউ এবং আইইএমআই জেনারেটরের একটি শ্রেণিবিন্যাস এবং ডিউ বা আইইএমআই জেনারেটর অ্যান্টেনা অ্যাপারচার থেকে লক্ষ্য দূরত্বও বর্ণনা করা হয়েছে। এই প্রবন্ধের মূল ফোকাস হল একটি নিম্ন-প্রযুক্তিগত ডিইডব্লিউ জেনারেটরের ডিজাইন এবং পরীক্ষা করা যা স্ট্যান্ডার্ড ইলেকট্রনিক সার্কিটের ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ইমিউনিটি নির্ধারণ করতে ব্যবহৃত হয়।
উপরন্তু, ই-ক্ষেত্রের বিরুদ্ধে পর্যাপ্ত সুরক্ষা ছাড়াই একটি সাধারণ ইলেকট্রনিক সার্কিটের জন্য ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক অনাক্রম্যতার যাচাইকরণও ব্যাখ্যা করা হয়েছে। এই নিবন্ধের ফলাফল হল ত্রুটি-মুক্ত অপারেশনের জন্য ই-ক্ষেত্রের সীমা নির্ধারণ, পরীক্ষিত সার্কিটগুলির ত্রুটিপূর্ণ অবস্থা এবং সার্কিটগুলির অপরিবর্তনীয় ধ্বংস। পরিমাপ করা ই-ক্ষেত্রটিকে মৌলিক মাইক্রোওয়েভ বিকিরণ তত্ত্ব এবং COMSOL মাল্টিফিজিক্স সফ্টওয়্যার (COMSOL, Inc. 100 District Avenue Burlington, MA 01803 USA) এর সিমুলেশন ফলাফলের সাথে তুলনা করা হয়েছিল।
অনাক্রম্যতা হল শরীরের প্রতিরক্ষা ব্যবস্থা। শরীর বাইরে থেকে আক্রমন করে এমন কোন বিদেশী পদার্থকে সনাক্ত করতে এবং নির্মূল করতে পারে;
পুরানো, ক্ষতিগ্রস্ত, মৃত, ক্ষয়প্রাপ্ত স্ব-কোষ এবং দেহের পরিবর্তিত এবং ভাইরাস-সংক্রমিত কোষগুলিকে চিনতে ও মোকাবেলা করার ক্ষমতা। কখন
রোগ প্রতিরোধ ক্ষমতা কম থাকলে রোগে আক্রান্ত হওয়া সহজ হয়। কম অনাক্রম্যতার প্রধান প্রভাবক কারণ হল বয়স ফ্যাক্টর: জীবনে দুটি রোগ প্রতিরোধের কারণ রয়েছে।
কম রোগ প্রতিরোধ ক্ষমতার পর্যায়, যথা শৈশব এবং বার্ধক্য। আমাদের গবেষণায়, আমরা দেখেছি যে আমাদের Cistanche deserticola রোগ প্রতিরোধ ক্ষমতা বাড়াতে পারে, Cistanche deserticola polysaccharides এবং verbascoside হৃদপিন্ড এবং মস্তিষ্কের টিস্যু এনজাইমের কার্যকলাপ বৃদ্ধি করতে পারে, পেরিটোনিয়াল কোষের ফ্যাগোসাইটোসিস এবং লিম্ফোসাইটের প্রসারণ প্রতিক্রিয়া বাড়াতে পারে, যার ফলে অনাক্রম্যতা বৃদ্ধি পায়।

cistanche deserticola সম্পূরক পণ্য ক্লিক করুন
কীওয়ার্ড:
উচ্চ-শক্তি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক (HPEM) পরিবেশ; নির্দেশিত শক্তি অস্ত্র (DEW); ইচ্ছাকৃত ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ (IEMI); ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক অনাক্রম্যতা ম্যাগনেট্রন; হস্তক্ষেপ অ্যান্টেনা; অপ্টিমাইজেশান; ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক অনাক্রম্যতা।
1। পরিচিতি
একটি বিদ্যুত পাওয়ার নেটওয়ার্ক তৈরি, ট্রান্সমিশন, বিতরণ এবং ব্যবহারকারী বা ভোক্তাদের মৌলিক উপাদান নিয়ে গঠিত। বড় পাওয়ার প্ল্যান্টগুলি প্রতিটি দিনের জন্য প্রজেক্টেড বিদ্যুতের চাহিদার উপর ভিত্তি করে নির্ধারিত হয় এবং ভোক্তার জন্য সর্বোত্তম মূল্য এবং নির্ভরযোগ্যতা ফলাফল অর্জনের জন্য বিশ্ব নিলাম অনুষ্ঠিত হয়। সৌর সিস্টেম [1,2], বায়ু খামার [3,4] ইত্যাদির মতো পরিবেশগত বিদ্যুতের উত্সগুলি ব্যবহার করার ক্রমবর্ধমান প্রবণতার কারণে, এর কাঠামোর পরিপ্রেক্ষিতে ট্রান্সমিশন নেটওয়ার্কে অনেক বেশি চাহিদা রয়েছে [5,6] ], স্থিতিশীলতা [7], অপ্টিমাইজেশান [8-10] এবং হস্তক্ষেপের বিরুদ্ধে শেষ গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তাগুলি সুরক্ষিত করা [11-13]।
প্রতিটি বৃহৎ পাওয়ার কোম্পানির একটি নিয়ন্ত্রণ কেন্দ্র রয়েছে যা তাদের বিদ্যমান এবং বিভিন্ন যোগাযোগ নেটওয়ার্কের মাধ্যমে উৎপন্ন এবং ব্যবহৃত শক্তিকে ভারসাম্য বজায় রাখতে কাজ করে। উপরন্তু, তারা সাবস্টেশনে কন্ট্রোল ইলেকট্রনিক্সের অবস্থার ট্র্যাক রাখতে অন্যান্য যোগাযোগ নেটওয়ার্ক ব্যবহার করে ত্রুটি বা সরঞ্জামের ব্যর্থতার ক্ষেত্রে প্রতিক্রিয়া জানাতে। ইলেকট্রনিক তথ্য এবং যোগাযোগ ব্যবস্থা সহ এই সমস্ত নেটওয়ার্কগুলি এইচপিইএম পরিবেশের প্রভাবগুলির জন্য ঝুঁকিপূর্ণ৷
এইচপিইএম পরিবেশের মধ্যে রয়েছে বজ্রপাতের ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক পালস (এলইএমপি), চরম ভূ-চৌম্বকীয় ঝড়ের প্রভাব, নিউক্লিয়ার ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক পালস (এনইএমপি), উচ্চ-উচ্চতা ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক পালস (এইচইএমপি), এবং হাই-পাওয়ার রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (এইচপিআরএফ) ঘটনা, নির্দেশিত শক্তি অস্ত্র (ডিইডব্লিউ) সহ। ইচ্ছাকৃত ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ (IEMI)। নিরাপত্তার ক্ষেত্রে, ব্যবহৃত শব্দটি হল DEW; নাগরিক পরিভাষায়, ব্যবহৃত শব্দটি নির্দেশিত শক্তি (DE)। বিশেষ করে, DEWs এবং IEMIs বর্তমানে বৈদ্যুতিক শক্তি নেটওয়ার্কের পাশাপাশি অন্যান্য রাষ্ট্রীয় অবকাঠামোতে ইলেকট্রনিক এবং তথ্য সিস্টেমের কাজের জন্য একটি বড় হুমকি [14,15]।
DEWs এবং IEMIs একটি স্পন্দিত শক্তি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ক্ষেত্র তৈরি করে যাকে বলা হয় ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক পালস (EMP), যা ইলেকট্রনিক সার্কিটগুলির ত্রুটি বা এমনকি ধ্বংসের কারণ হতে পারে। এই এলাকায় দ্রুত গবেষণা উন্নয়নের কারণে, ছোট কমপ্যাক্ট ডিভাইস তৈরি করা যেতে পারে। এই ডিভাইসগুলি প্রতিরক্ষা এবং সুরক্ষা প্রযুক্তিতে ব্যবহারের জন্য খুব আকর্ষণীয়, তবে সন্ত্রাসীরা তাদের অপব্যবহারও করতে পারে। DEWs এবং IEMI-এর নির্দিষ্ট ব্যবহার ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ফিল্ড তৈরির পদ্ধতি এবং ব্যবহৃত ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডের উপর নির্ভর করে। DEWs এবং IEMI সাধারণত নিম্নলিখিত মোডে কাজ করে:
1 একক কম্পাঙ্কের বহু চক্র সহ একটি একক পালস (একটি তীব্র সংকীর্ণ সংকেত যার কিছু ফ্রিকোয়েন্সি তত্পরতা থাকতে পারে)।
2 একটি বিস্ফোরণ যাতে অনেকগুলি ডাল থাকে, প্রতিটি নাড়িতে একটি একক কম্পাঙ্কের অনেকগুলি চক্র থাকে।
3 একটি আল্ট্রা-ওয়াইড-ব্যান্ড (UWB) ক্ষণস্থায়ী পালস (100 মেগাহার্টজ থেকে কয়েক গিগাহার্টজ পর্যন্ত বর্ণালী বিষয়বস্তু)।
4 বহু বিকিরণ বা সঞ্চালিত UWB ডালগুলির একটি বিস্ফোরণ।
DEW এবং IEMI সংকেতগুলি ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিতে বিকিরণ বা পরিবাহী প্রবেশ করতে পারে [16,17]। চিত্র 1 HPEM পরিবেশের পৃথক উপাদানগুলির ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডগুলি দেখায়। চিত্রটি [14] থেকে নেওয়া হয়েছিল। বর্ণালী ঘনত্ব উল্লম্ব অক্ষের উপর প্লট করা হয়। ইউনিট হল V/m/Hz।

DEW এবং IEMI পরিবেশে, লক্ষ্য থেকে DEW বা IEMI জেনারেটরের দূরত্বের উপর E-ক্ষেত্রের নির্ভরতা বিবেচনা করা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। এই এলাকায় প্রায়ই ব্যবহৃত পরামিতি হল rE; অন্যান্য প্রকাশনায়, মেধার গুণক (এফওএম) হিসাবেও উল্লেখ করা হয়, ইউনিটটি ভোল্ট (ভি)। এই প্যারামিটারটি ই-ক্ষেত্র E এর গুণফল এবং ট্রান্সমিটিং জেনারেটর অ্যান্টেনা থেকে r দূরত্বকে উপস্থাপন করে।
DEW এবং IEMI জেনারেটর, সংবেদনশীল ইলেকট্রনিক্স ধারণকারী প্রযুক্তির কার্যকারিতা ইচ্ছাকৃতভাবে ব্যাহত করার জন্য ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত, তাদের জটিলতার স্তর অনুসারে ভাগ করা যেতে পারে এবং এইভাবে তাদের প্রাপ্যতা নিম্নরূপ [16,18-22]:
1 লো-টেক জেনারেটর rE ' 1 kV (যেমন, মাইক্রোওয়েভ ওভেন)।
2 মাঝারি প্রযুক্তির জেনারেটরগুলি দশ থেকে শত শত কেভি (যেমন, পরিবর্তিত রাডার ট্রান্সমিটার)।
3 উচ্চ-প্রযুক্তি জেনারেটর rE ' ইউনিটের অর্ডার এমভি (বিশেষ প্রযুক্তি)।
প্রাসঙ্গিক ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডে ইলেকট্রনিক ডিভাইসের (লক্ষ্য) অবস্থানে ই-ক্ষেত্র স্তর ইলেকট্রনিক সিস্টেমের ব্যাঘাত বা ধ্বংসের জন্য নির্ধারক। দীর্ঘ দূরত্ব থেকে কাজ করা উচ্চ-প্রযুক্তি বা মাঝারি-প্রযুক্তির জেনারেটর বা লক্ষ্যের কাছাকাছি অবস্থানে থাকা একটি নিম্ন-প্রযুক্তিগত জেনারেটর দ্বারা কার্যকলাপের ব্যাঘাত বা লক্ষ্য ধ্বংস করা সম্ভব। বর্তমানে, DEW এবং IEMI জেনারেটরগুলির জন্য একটি খুব আকর্ষণীয় অবস্থান হল অনবোর্ড মানববিহীন আকাশযান (UAVs)। প্রকল্প CHAMP [23,24] একটি UAV জাহাজে ডিউ বা আইইএমআই জেনারেটরের ফলাফল দেখায় যা ইলেকট্রনিক সিস্টেমের উচ্চ-দক্ষতা ব্যাহত বা ধ্বংস করে।
নিম্নলিখিত বিভাগগুলি একটি নিম্ন-প্রযুক্তি ডিইডব্লিউ জেনারেটরের নকশা এবং পরীক্ষার সাথে মোকাবিলা করে, যা স্ট্যান্ডার্ড ইলেকট্রনিক সার্কিটের ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক অনাক্রম্যতা নির্ধারণ করতে ব্যবহৃত হয়েছিল। একটি ম্যাগনেট্রন জেনারেটরের শক্তি উপাদান হিসাবে ব্যবহৃত হয়েছিল। পরবর্তীকালে, ই-ফিল্ডের প্রভাবের বিরুদ্ধে অতিরিক্ত সুরক্ষা ছাড়াই ইলেকট্রনিক সার্কিটের ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক অনাক্রম্যতার পরিমাপ করা হয়। ফলাফল হল ত্রুটি-মুক্ত অপারেশনের জন্য ই-ক্ষেত্রের সীমা নির্ধারণ এবং পরীক্ষিত সার্কিটের ফল্ট স্টেট এবং সার্কিটগুলির অপরিবর্তনীয় ধ্বংসের জন্য ই-ক্ষেত্র স্তর।

2. ম্যাগনেট্রন সহ একটি নিম্ন-প্রযুক্তি ডিউ জেনারেটরের ধারণা
একটি ম্যাগনেট্রন, সাধারণত মাইক্রোওয়েভ ওভেনে ব্যবহৃত হয়, এস-ব্যান্ডে অপারেটিং একটি মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটর তৈরি করতে নির্বাচন করা হয়েছিল (চিত্র 2)।

একটি ম্যাগনেট্রন মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটরে উচ্চ শক্তি (টাইপ 2M219J) সহ উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি দোলনের উত্স হিসাবে ব্যবহৃত হয়েছিল। এই ম্যাগনেট্রন সাধারণত মাইক্রোওয়েভ ওভেনে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শক্তির উৎস হিসেবে ব্যবহৃত হয়। সারণী 1 প্রস্তুতকারকের ক্যাটালগ শীট থেকে ম্যাগনেট্রন স্পেসিফিকেশন দেখায়।

2.1। মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটরের প্রাথমিক সংযোগ
জেনারেটর অপারেশনের মৌলিক নীতি নিম্নলিখিত ব্লক ডায়াগ্রাম (চিত্র 3) অনুযায়ী বর্ণনা করা যেতে পারে। মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটরটি 230 VAC ডিস্ট্রিবিউশন নেটওয়ার্ক থেকে আলাদাভাবে চালিত হয়। এই পাওয়ার সাপ্লাইটি একটি উচ্চ-ভোল্টেজ ট্রান্সফরমার (এমওটি) সহ একটি AC/DC স্টেপ-আপ কনভার্টার দ্বারা চালিত হয়, যার আউটপুট ম্যাগনেট্রনকে পাওয়ার জন্য 4.2 kVDC। একটি ফানেল অ্যান্টেনা ব্যবহার করে, ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শক্তি পছন্দসই দিকে স্থানটিতে বিকিরণ করা হয়।

চিত্র 3। মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটরের বেসিক ব্লক ডায়াগ্রাম।
এই সার্কিটের সামগ্রিক দক্ষতা ছিল প্রায় 55 শতাংশ, এবং মাইক্রোওয়েভ জেনারেটরের সামগ্রিক দক্ষতা বাড়ানোর জন্য পাওয়ার মাইক্রোওয়েভ জেনারেটরের সামগ্রিক ধারণা পরিবর্তন এবং অনুকূলিত করার জন্য অতিরিক্ত প্রচেষ্টা করা হয়েছিল।
2.2। মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটরের অপ্টিমাইজেশন
জেনারেটরের ক্রমাগত অপারেশন অর্জনের জন্য, পুরো সংযোগের জন্য একটি নতুন ধারণা ডিজাইন করা গুরুত্বপূর্ণ ছিল। উপরন্তু, দুর্ঘটনাজনিত বৈদ্যুতিক শক প্রতিরোধ করার জন্য একটি নতুন জেনারেটর ধারণা ডিজাইন করার সময় অপারেটরের নিরাপত্তার কথা বলা বাধ্যতামূলক ছিল।
আমাদের অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ব্যবহারের পরিপ্রেক্ষিতে ম্যাগনেট্রন পরীক্ষা করার সময়, কুলিং সমাধান করা একটি চ্যালেঞ্জ হিসাবে দেখায়। তদতিরিক্ত, ম্যাগনেট্রনকে অতিরিক্ত গরম করার ফলে এর কার্যকারিতা উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পেয়েছে। অতএব, পুরো জেনারেটর ধারণার পরিবর্তন করতে হবে। চিত্র 4 পূর্ণ শক্তিতে 90 সেকেন্ড পরে উত্তপ্ত ম্যাগনেট্রন দেখায়।

একটি কার্যকরী মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটর ডিজাইন করার সময়, বিভিন্ন অংশগুলি (উপাদান) সাজানো গুরুত্বপূর্ণ ছিল যাতে তারা একে অপরের সাথে হস্তক্ষেপ না করে, শুধুমাত্র EMI এর ক্ষেত্রে নয় প্রাথমিকভাবে তাপমাত্রার ক্ষেত্রেও (চিত্র 5)

2.3। অপ্টিমাইজড মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটরের বর্ণনা
জেনারেটরের পাওয়ার সাপ্লাই শিল্প নেটওয়ার্ক 230 VAC/50 Hz থেকে। চিত্র 6 ডিজাইন পরিবর্তনের পরে জেনারেটরের অভ্যন্তরীণ বিন্যাস দেখায়। সংখ্যা (1) জেনারেটরের নিরাপত্তা এবং নিয়ন্ত্রণ উপাদান নির্দেশ করে। যখন ফিউজ এবং নিয়ন্ত্রণগুলি চালু করা হয়, তখন বিচ্ছিন্ন ট্রান্সফরমারে ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয় (2), যা দুটি উচ্চ-ভোল্টেজ ট্রান্সফরমার (3) সরবরাহ করে, যার আউটপুট ভোল্টেজ 2 × 2.1 kVAC উচ্চ-ভোল্টেজ সংশোধনকারী (5) এর সাথে সংযুক্ত থাকে। উচ্চ-ভোল্টেজ ক্যাপাসিটারের মাধ্যমে 2 × 50 µF (4)। এটি একটি উচ্চ-ভোল্টেজ বিচ্ছিন্ন ট্রান্সফরমার (6) এর মাধ্যমে ম্যাগনেট্রন (7) এ রুট করা হয়। ম্যাগনেট্রনকে একটি বিশেষভাবে ডিজাইন করা পাখা (8) দ্বারা শীতল করা হয়, যেখানে বাতাসকে ভেন্টিলেটরের মাধ্যমে ম্যাগনেট্রনের কুলিং সিস্টেমের পাখনায় সরাসরি প্রবাহিত করা হয়। এই ম্যাগনেট্রন কুলিং সলিউশন পুরো জেনারেটরের ক্রমাগত অপারেশন নিশ্চিত করে। এছাড়াও, জেনারেটরটি একটি সুরক্ষা ডিভাইস দিয়ে সজ্জিত যা অতিরিক্ত গরমের ক্ষেত্রে জেনারেটরটি বন্ধ করে দেবে। এই নিরাপত্তা ডিভাইসে তাপ সেন্সর (থার্মাল ফিউজ) থাকে যা জেনারেটরের তাপীয়ভাবে চাপযুক্ত উপাদানের সাথে সংযুক্ত থাকে।

মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটরের সমস্ত উপাদান ইএমআই-এর উপর তাদের প্রভাব কমানোর জন্য এমনভাবে সাজানো হয়েছে। যাইহোক, সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ দিকটি ছিল নকশার সময় উপাদানগুলিকে এমনভাবে স্থাপন করা যাতে তারা তাপমাত্রার ক্ষেত্রে একে অপরের সাথে হস্তক্ষেপ করে না। সর্বাধিক তাপীয়ভাবে লোড করা উপাদান হল ম্যাগনেট্রন এবং পাওয়ার ট্রান্সফরমার (এমওটি)। ছবি থেকে স্পষ্ট যে তারা একে অপরের থেকে যথেষ্ট দূরত্বে রয়েছে। চিত্র 7 সম্পূর্ণ শক্তির 10 মিনিটের পরে অপ্টিমাইজ করা মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটরের সমস্ত পৃথক উপাদানগুলির একটি তাপীয় চিত্র দেখায়। সমস্ত তাপমাত্রা পরিমাপ টেস্টো [25] থেকে একটি তাপীয় ক্যামেরা ব্যবহার করে সঞ্চালিত হয়েছিল।

উন্নত কুলিং ডিজাইন ব্যবহার করে, আমরা ম্যাগনেট্রনের প্যারামিটার (উচ্চ তাপমাত্রার কারণে ফ্রিকোয়েন্সি এবং দক্ষতার পরিবর্তন) পরিবর্তন না করেই ক্রমাগত মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটর অপারেশন অর্জন করতে সক্ষম হয়েছি। এর মানে হল ম্যাগনেট্রনের একটি ধ্রুবক তাপমাত্রা 50 ◦C (চিত্র 8) পর্যন্ত ছিল। এটি পুরো সিস্টেমের স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করেছে। এছাড়া নতুন ব্যবস্থায় পাওয়ার মাইক্রোওয়েভ জেনারেটরের কার্যক্ষমতা ৫৫ থেকে ৭৫ শতাংশে উন্নীত হয়েছে।

চিত্র 9a একটি প্রমিত R32 ওয়েভগাইড দেখায়, যেখানে ম্যাগনেট্রন অ্যান্টেনার জন্য একটি খোলা তৈরি করা হয়েছিল। চিত্র 9b সম্পূর্ণ শক্তির 10 মিনিট পরে ওয়েভগাইডের ভিতরের তাপমাত্রা দেখায়। প্রস্তাবিত শীতলকরণের জন্য ধন্যবাদ, এই তাপমাত্রা 80 ◦C এর উপরে বাড়েনি। ম্যাগনেট্রন দৃঢ়ভাবে ওয়েভগাইডের সাথে সংযুক্ত থাকার কারণে, ম্যাগনেট্রন অ্যান্টেনাকে সরাসরি শীতল না করেই ওয়েভগাইডের শুধুমাত্র একটি অংশকে ঠান্ডা করায় তাপমাত্রা ছিল সর্বোচ্চ। যাইহোক, এই তাপমাত্রা পাওয়ার মাইক্রোওয়েভ জেনারেটরের কার্যকারিতা এবং পরামিতিগুলিকে প্রভাবিত করেনি (সারণী 2)


চিত্র 10 একটি প্রমিত R32 ওয়েভগাইড সহ একটি মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটর এবং অ্যান্টেনা সহ প্রেরিত সংকেত বিশ্লেষণের জন্য প্রয়োজনীয় উপাদানগুলি দেখায়। সংখ্যা (1) ম্যাগনেট্রন সহ একটি EMI মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটর নির্দেশ করে এবং সংখ্যা (2) একটি ওয়েভগাইড ট্যাপ। শাখাটি একটি ক্রসড ওয়েভগাইড, যাতে গহ্বরের মধ্য দিয়ে এমনভাবে গঠিত হয় যে ট্রান্সমিশনের সামনের দিকে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক তরঙ্গটি টেনেনিউয়েশন ছাড়াই থাকে এবং ক্রস ডিরেকশনে গহ্বরের আকার অনুযায়ী ক্ষয় হয়। 30 ডিবি অ্যাটেন্যুয়েশন [26-29] সহ দুটি অভিন্ন ওয়েভগাইড ট্যাপ ওয়েভগাইড রুটের সাথে সংযুক্ত ছিল।
যাইহোক, 30 ডিবি ট্যাপে কত শক্তি ছিল তা বিবেচনা করা গুরুত্বপূর্ণ। যদি শক্তি এখনও খুব বেশি হয়, তাহলে একটি অতিরিক্ত পাওয়ার অ্যাটেনুয়েটর সংযোগ করা প্রয়োজন ছিল যা পর্যাপ্ত পরিমাণে শক্তি হ্রাস করবে এবং পরিমাপ যন্ত্রগুলিকে রক্ষা করবে। এই ওয়েভগাইড ট্যাপের সাথে সংযুক্ত ওয়েভগাইড-মিলিত লোড রয়েছে, যা সংখ্যা (3) হিসাবে চিহ্নিত করা হয়েছে। এগুলি প্রদত্ত দিকটিতে ওয়েভগাইড পথকে অভিযোজিত করার উদ্দেশ্যে ছিল। তদ্ব্যতীত, একটি অ্যান্টেনা সংযুক্ত রয়েছে, যা সংখ্যা (4) হিসাবে চিহ্নিত। অ্যান্টেনা প্রয়োজনীয় দিকে মহাকাশে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক তরঙ্গের সংক্রমণ নিশ্চিত করেছে। সমাবেশের শেষ অংশটি একটি সমাক্ষ তারের জন্য একটি ওয়েভগাইড কাপলিং (5)। এই কাপলিংয়ের কারণে, আমরা বিভিন্ন ধরণের পরিমাপ যন্ত্র (অসিলোস্কোপ, স্পেকট্রাম বিশ্লেষক, পাওয়ার মিটার ইত্যাদি) সংযুক্ত করতে পারি।

3. ইএমপিতে ইলেকট্রনিক সার্কিটগুলির অনাক্রম্যতা পরীক্ষা করা
একটি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ফিল্ডে (EMP) ইলেকট্রনিক সার্কিট পরীক্ষা করার জন্য একটি বিশেষ পরীক্ষা সাইট ইএমপি (চিত্র 11) এ ইলেকট্রনিক ডিভাইস পরীক্ষা করার জন্য মনোনীত একটি পরীক্ষাগারে স্থাপন করা হয়েছিল। দেয়াল থেকে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শক্তির প্রতিফলন কমাতে এই ল্যাবে দেয়ালে বিশেষ প্লেট রয়েছে (চিত্র 12)

পরীক্ষিত ইলেকট্রনিক সার্কিট জেনারেটর অ্যান্টেনার বিকিরণ প্যাটার্নের অক্ষে একটি বিশেষ স্ট্যান্ডে স্থাপন করা হয়েছিল। স্ট্যান্ডটি ধীরে ধীরে জেনারেটরের অ্যান্টেনার দিকে সরানো হয়েছিল। 1.1 থেকে 0.25 মি পর্যন্ত অ্যান্টেনার দূরত্বের জন্য পরীক্ষা করা হয়েছিল৷ প্রতিটি অবস্থানের জন্য, পরীক্ষিত ইলেকট্রনিক সার্কিটটি জেনারেটর দ্বারা 2 সেকেন্ডের জন্য বিকিরণ করা হয়েছিল। জেনারেটর দ্বারা তৈরি ই-ক্ষেত্র প্রতিটি অবস্থানের জন্য পরিমাপ করা হয়েছিল। একই সময়ে, প্রতিটি অবস্থানে পরীক্ষিত ইলেকট্রনিক সার্কিটের অপারেশন যাচাই করা হয়েছিল। পরিমাপ করা পাওয়ার লেভেল সামঞ্জস্য করতে ই-ফিল্ড পরিমাপের জন্য একটি অ্যাটেনুয়েটর সহ একটি হাতা ডাইপোল অ্যান্টেনা (চিত্র 13a) ব্যবহার করা হয়েছিল। একটি R&S RTO {{8}GHz-20 GSA/s একটি অসিলোস্কোপ সহ (চিত্র 13b) সিগন্যালের মাত্রা পরিমাপ করতে ব্যবহৃত হয়েছিল।

NE555P (NE555P হল একটি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট যা সাধারণত বিভিন্ন আয়তক্ষেত্রাকার সিগন্যালের টাইমার বা জেনারেটর হিসাবে ব্যবহৃত হয়) ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটটি একটি সেমিকন্ডাক্টর পাওয়ার মাইক্রোওয়েভ জেনারেটরের আমাদের আসল ডিজাইনকে পাওয়ার জন্য বেছে নেওয়া হয়েছিল। এই ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের সাথে একটি আয়তক্ষেত্রাকার পালস জেনারেটর একত্রিত করা হয়েছিল, যেখানে ফ্রিকোয়েন্সি পরিবর্তন করতে একটি পটেনটিওমিটার ব্যবহার করা হয়েছিল। ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC) এর সঠিক কার্যকারিতা চাক্ষুষভাবে পরীক্ষা করার জন্য, এই সার্কিটটি একটি আলো-নির্গত ডায়োড (LED) দিয়ে সজ্জিত ছিল। ব্যাটারি চালিত NE555P টেস্ট সার্কিটটি বিভিন্ন দূরত্বে EMP-এর সংস্পর্শে এসেছে।
ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ওয়েভ রেডিয়েশনের সরলীকৃত তত্ত্বের উপর ভিত্তি করে তৈরি ই-ফিল্ড ডিস্ট্রিবিউশনের সাথে পরিমাপ করা ই-ক্ষেত্রের মাত্রা তুলনা করা হয়েছিল। ই-ফিল্ড জেনারেটরের পিরামিডাল হর্ন অ্যান্টেনার পরামিতিগুলির গণনা সমীকরণ (1) এবং (2) দ্বারা সঞ্চালিত হয়েছিল।

সিমুলেশনটি 200 থেকে 1000 W এর রেঞ্জে জেনারেটরের ক্ষমতার জন্য সঞ্চালিত হয়েছিল। এই শক্তিগুলির জন্য, অ্যান্টেনা অ্যাপারচার থেকে দূরত্বের উপর ই-ক্ষেত্রের নির্ভরতা পাওয়া গেছে। পরিমাপ চেম্বারের মাত্রা এবং ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক অনাক্রম্যতার প্রত্যাশিত স্তরের বিষয়ে, Pgen=200 W নির্বাচন করা হয়েছিল। এই শক্তি পরীক্ষা সার্কিটগুলির ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক অনাক্রম্যতা পরিমাপ করতে ব্যবহৃত হয়েছিল। সিমুলেশন ফলাফল চিত্র 14 এ প্রদর্শিত হয়।

চিত্র 15 গণনা (সমীকরণ (1) এবং (2)) এবং সিমুলেশন দ্বারা প্রাপ্ত দূরত্বের উপর E-ক্ষেত্র নির্ভরতার চোখের উপাদানগুলি দেখায়। চিত্র 15a ওয়েভগাইড জোনে ই-ফিল্ড, পিরামিডাল হর্ন অ্যান্টেনা জোন এবং রিঅ্যাক্ট্যান্স জোন সহ Ey উপাদানটির সম্পূর্ণ দৃশ্য দেখায়। চিত্র 15b পরিমাপ করা অঞ্চলে Ey উপাদানের একটি বিশদ দৃশ্য দেখায়।


5. আলোচনা
NE555P টেস্ট সার্কিটটি ব্যাটারি চালিত এবং বিভিন্ন দূরত্বে EMP-এর সংস্পর্শে ছিল। সারণি 3 IC NE555P সার্কিটের EMP অনাক্রম্যতার ফলাফল দেখায়।

পরীক্ষিত IC মাইক্রোওয়েভ বিকিরণের ত্রুটি ছাড়াই 220 V/m এর কম বা সমান ই-ক্ষেত্র সহ পরিচালিত হয়। এটি বৃহত্তর ই-ক্ষেত্র স্তরের জন্য ত্রুটি দেখিয়েছে। মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার বন্ধ হয়ে গেলে, পরীক্ষিত IC ব্যর্থতা ছাড়াই আবার কাজ করে। যখন মাইক্রোওয়েভ বিকিরণ ই-ক্ষেত্র 1700 V/m এর চেয়ে বেশি বা সমান ছিল, তখন পরীক্ষিত IC ধ্বংস হয়ে গিয়েছিল।
চিত্র 16a NE555P IC দ্বারা উত্পন্ন একটি সংকেত দেখায় যা EMP-এর সংস্পর্শে আসেনি। চিত্র 16b IC NE555P ব্যবহার করে একটি সংকেত দেখায় যা দূরত্বে EMP এর সংস্পর্শে এসেছিল<2.5 m from the antenna.
চিত্র 16 দেখায় যে একটি উচ্চ EMP-এর সংস্পর্শে আসা একটি ইলেকট্রনিক ডিভাইস সঠিকভাবে কাজ করা বন্ধ করে দেয়। চিত্র 16b প্রমাণ করে যে IC NE555P ব্যবহার করে একটি ইলেকট্রনিক ডিভাইস মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটর অ্যান্টেনা থেকে একটি নির্দিষ্ট দূরত্বে সম্পূর্ণ অব্যবহারযোগ্য ছিল।
মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটর অ্যান্টেনা থেকে {{0}}.25 মিটার দূরত্বে, LED সহ সম্পূর্ণ ইলেকট্রনিক ডিভাইসটি অপরিবর্তনীয়ভাবে ক্ষতিগ্রস্ত হয়েছিল৷ ইলেকট্রনিক ডিভাইসটি 0.25 মিটার দূরত্বে EMP-এর সংস্পর্শে আসার 2 সেকেন্ডের মধ্যে এই ধ্বংসটি ঘটেছিল। চিত্র 17 ধ্বংস LED NP সেমিকন্ডাক্টর জংশনের একটি বিশদ দৃশ্য দেখায়।

এছাড়াও, ইএমপি চলাকালীন ইলেকট্রনিক সার্কিট অত্যধিকভাবে উত্তপ্ত হয়। চিত্র 18 একটি উত্তপ্ত ইলেকট্রনিক সার্কিটের তাপমাত্রা প্রোফাইল দেখায় যা 2 সেকেন্ডের জন্য 1.1 মিটারের উত্স (ম্যাগনেট্রন) থেকে দূরত্বে EMP-তে উন্মুক্ত হয়েছিল। IC NE555P সবুজ ফ্রেম দ্বারা চিহ্নিত করা হয়েছে।

মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটর অ্যান্টেনা থেকে অল্প দূরত্বে (25 সেমি) ইএমপিতে ইলেকট্রনিক সার্কিট উন্মোচিত হলে, সমস্ত প্যাসিভ উপাদান (প্রতিরোধক, ক্যাপাসিটর, কয়েল, ইত্যাদি), যা থেকে সম্পূর্ণ ইলেকট্রনিক সার্কিট একত্রিত হয়েছিল, তাও ধ্বংস হয়ে যায়। . চিত্র 19 অপরিবর্তনীয় ধ্বংসের পরে প্রতিরোধকের একটি বিশদ দৃশ্য দেখায়। এই প্রতিরোধকটি IC NE555P সহ ইলেকট্রনিক ডিভাইসের অংশ ছিল, যা মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার জেনারেটর অ্যান্টেনা থেকে 0.25 মিটার দূরত্বে 2 সেকেন্ডের জন্য EMP-এর সংস্পর্শে এসেছিল।

পরীক্ষিত IC এর ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ফিল্ডের প্রভাবের বিরুদ্ধে অতিরিক্ত সুরক্ষা ছিল না। যদি উচ্চ স্তরের ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ইমিউনিটি প্রয়োজন হয়, তাহলে বিভিন্ন ধরনের ঢালযুক্ত ঘের বা ঢালযুক্ত বাক্স ব্যবহার করা যেতে পারে, যা অন্যান্য বৈশিষ্ট্য যেমন বিভিন্ন ধরনের ঢালযুক্ত দরজা, EMI/RFI (EMI - ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ/ RFI - রেডিওফ্রিকোয়েন্সি হস্তক্ষেপ) দ্বারা পরিপূরক। শিল্ডেড ওয়েভগাইড এয়ার ভেন্ট, ওয়েভগাইড ফিড-থ্রু এবং অনুরূপ। পাওয়ার সাপ্লাই লাইনগুলিকে অবশ্যই বিশেষ উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ফিল্টার (RF ফিল্টার) এর মাধ্যমে সংযুক্ত করতে হবে। ফাইবার-অপটিক অ্যাপ্লিকেশনগুলি প্রায়শই ঢালযুক্ত ক্যাবিনেট এবং বাক্সগুলি থেকে ডেটা ট্রান্সমিশনের জন্য ওয়েভগাইড ফিল্টারের সাথে একসাথে ব্যবহৃত হয়। ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ফিল্ডের প্রভাবের বিরুদ্ধে ইলেকট্রনিক সার্কিটগুলির সুরক্ষার জন্য উপাদানগুলির নির্দিষ্ট উদাহরণ পাওয়া যাবে, উদাহরণস্বরূপ, [31] এ।

6। উপসংহার
এই কাগজে, আমরা গুরুতর এইচপিইএম হুমকি প্রবর্তন করেছি, বিশেষ করে ডিইউ এবং আইইএমআই, এবং বর্তমান এবং ভবিষ্যতের বৈদ্যুতিক শক্তি নেটওয়ার্কগুলিতে তাদের সম্ভাব্য প্রভাবগুলি নিয়ে আলোচনা করেছি। নিবন্ধটি ই-ক্ষেত্র স্তর এবং DEW বা IEMI জেনারেটর অ্যান্টেনা অ্যাপারচার থেকে লক্ষ্যের দূরত্বের পরিপ্রেক্ষিতে DEW এবং IEMI জেনারেটরের প্রাথমিক শ্রেণিবিন্যাস বর্ণনা করেছে। একটি সাধারণ ইলেকট্রনিক সার্কিট IC NE555P এর জন্য একটি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক অনাক্রম্যতা পরিমাপ করা হয়েছিল, যার ই-ক্ষেত্রের প্রভাবগুলির বিরুদ্ধে অতিরিক্ত সুরক্ষা ছিল না। এটি বিভাগ 2-এ বর্ণিত নিম্ন-প্রযুক্তি জেনারেটর পরীক্ষা করার জন্য ব্যবহার করা হয়েছিল। মাইক্রোওয়েভ বিকিরণ একটি ই-ক্ষেত্র > 220 V/m পৌঁছে গেলে পরীক্ষিত IC একটি ত্রুটি দেখায়। যখন মাইক্রোওয়েভ বিকিরণ 1700 V/m এর চেয়ে বড় বা সমান ই-ক্ষেত্রে পৌঁছেছে, তখন পরীক্ষিত IC ধ্বংস হয়ে গেছে। ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ওয়েভ রেডিয়েশনের একটি সরলীকৃত তত্ত্বের উপর ভিত্তি করে তৈরি করা ই-ফিল্ড ডিস্ট্রিবিউশনের সাথে পরিমাপ করা ই-ক্ষেত্রের স্তরের তুলনা করা হয়েছিল এবং COMSOL মাল্টিফিজিক্সে সিমুলেশন ব্যবহার করে যাচাই করা হয়েছিল। পরীক্ষিত IC মধ্যম-স্কেল একীকরণ সহ একটি প্রতিরোধী সার্কিট ছিল। আধুনিক আইসিএস যেমন খুব বড়-স্কেল ইন্টিগ্রেশন এবং আল্ট্রা-লার্জ-স্কেল ইন্টিগ্রেশন অনিচ্ছাকৃত ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ এবং ইচ্ছাকৃত ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপের জন্য কম প্রতিরোধী।
এইভাবে, এটি প্রয়োজন, বর্তমানে এবং ভবিষ্যতেও, বৈদ্যুতিক পাওয়ার নেটওয়ার্কগুলিতে ব্যবহৃত ইলেকট্রনিক সার্কিটগুলির ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক প্রতিরোধ ক্ষমতা বাড়ানোর জন্য আরও মনোযোগ দেওয়া। সমাধান হল আইসি, ডেটা লাইন এবং পাওয়ার লাইনগুলির সামঞ্জস্যপূর্ণ ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং।

লেখকের অবদান:
ধারণা, এলডি, আরকে, এবং এমপি; পদ্ধতি, এলডি, আরকে, এমপি; বৈধতা, এমপি, আরকে; আনুষ্ঠানিক বিশ্লেষণ, LD, MP, এবং RK; তদন্ত, এলডি, আরকে, এবং এমপি; লেখা— মূল খসড়া প্রস্তুতি, এলডি, আরকে, এবং এমপি; লেখা-পর্যালোচনা এবং সম্পাদনা, এলডি, আরকে এবং এমপি; ভিজ্যুয়ালাইজেশন, এলডি, এমপি; তত্ত্বাবধান, এলডি; প্রকল্প প্রশাসন, এলডি, আরকে সমস্ত লেখক পাণ্ডুলিপির প্রকাশিত সংস্করণটি পড়েছেন এবং সম্মত হয়েছেন।
অর্থায়ন:
গবেষণা কোন বহিরাগত তহবিল পায়নি.
প্রাতিষ্ঠানিক পর্যালোচনা বোর্ডের বিবৃতি:
প্রযোজ্য নয়।
অবহিত সম্মতি বিবৃতি:
প্রযোজ্য নয়।
ডেটা উপলব্ধতা বিবৃতি:
প্রযোজ্য নয়।
স্বীকৃতি:
এই কাগজে উপস্থাপিত কাজ চেক প্রজাতন্ত্র প্রতিরক্ষা মন্ত্রণালয়-ইউনিভার্সিটি অফ ডিফেন্স ডেভেলপমেন্ট প্রোগ্রাম "AIROPS" দ্বারা সমর্থিত হয়েছে।
স্বার্থের সংঘাত:
লেখক আগ্রহের কোন দ্বন্দ্ব ঘোষণা।

তথ্যসূত্র
1. কাস্টিলো-ক্যাগিগাল, এম.; মাতাল্লানাস, ই.; Caamaño-Martin, E.; মার্টিন, এ.জি. SwarmGrid: বহু ফ্রিকোয়েন্সি এজেন্ট সমন্বয়ের উপর ভিত্তি করে বিতরণ করা শক্তি সম্পদের সাথে চাহিদা-পার্শ্ব ব্যবস্থাপনা। শক্তি 2018, 11, 2476। [ক্রসরেফ]
2. লিউ, ডব্লিউ; গুও, ডি.; Xu, Y.; চেং, আর.; ওয়াং, জেড.; Li, Y. ইন্টেলিজেন্ট স্টেট স্পেস রিডাকশন এবং সিউডো-সিকুয়েন্সিয়াল মন্টে কার্লো সিমুলেশনের উপর ভিত্তি করে ফটোভোলটাইক পাওয়ার স্টেশনগুলির সাথে পাওয়ার সিস্টেমের নির্ভরযোগ্যতা মূল্যায়ন। শক্তি 2018, 11, 1431। [ক্রসরেফ]
3. ওচোয়া, ডি.; মার্টিনেজ, এস. দুর্বল এবং বিচ্ছিন্ন পাওয়ার সিস্টেমে ফ্রিকোয়েন্সি নিয়ন্ত্রণ বাড়ানোর প্রস্তাব: সান ক্রিস্টোবাল দ্বীপ-ইকুয়েডরের বায়ু-ডিজেল পাওয়ার সিস্টেমে আবেদন। শক্তি 2018, 11, 910। [ক্রসরেফ]
4. হু, এইচ.; ওয়াং, এক্স।; পেং, ওয়াই.; জিয়া, ওয়াই।; ইউ, এম; ওয়েই, ডব্লিউ. স্থায়িত্ব বিশ্লেষণ এবং স্থায়িত্ব বর্ধিতকরণ ভার্চুয়াল হারমোনিক প্রতিরোধের উপর ভিত্তি করে মেশড ডিসি ডিস্ট্রিবিউটেড পাওয়ার সিস্টেমের সাথে ধ্রুবক পাওয়ার লোড। শক্তি 2017, 10, 69। [ক্রসরেফ]
5. ফারিয়া, পি.; স্পিনোলা, জে.; ভ্যাল, জেড. ডিস্ট্রিবিউটেড এনার্জি রিসোর্স শিডিউলিং এবং অ্যাগ্রিগেশন ইন দ্য কনটেক্সট অফ ডিমান্ড রেসপন্স প্রোগ্রাম। শক্তি 2018, 11, 1987। [ক্রসরেফ]
6. কাসাডো-ভারা, আর.; ভেল, জেড.; Prieto, J.; Corchado, স্মার্ট বিল্ডিংগুলিতে IoT নেটওয়ার্কের জন্য JM ফল্ট-সহনশীল তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ অ্যালগরিদম। শক্তি 2018, 11, 3430। [ক্রসরেফ]
7. হু, ডি.; পেং, ওয়াই.; ওয়েই, ডব্লিউ; হু, ওয়াই একটি ডিসি মাইক্রোগ্রিডে ভার্চুয়াল ইম্পিডেন্স অ্যাডজাস্টমেন্ট সহ চার্জের ভারসাম্যের জন্য মাধ্যমিক নিয়ন্ত্রণ বিতরণ করেছে। শক্তি 2020, 13, 408। [ক্রসরেফ]
8. সিং, এম.; ঝা, টিচিং-লার্নিং ভিত্তিক অপ্টিমাইজেশান ব্যবহার করে মাল্টি-অবজেক্টিভ ডিমান্ড সাইড ম্যানেজমেন্টের জন্য আরসি অবজেক্ট-ওরিয়েন্টেড ব্যবহারযোগ্যতা সূচক। শক্তি 2019, 12, 370। [ক্রসরেফ]
9. গালভান, এল.; নাভারো, জেএম; গ্যালভান, ই.; ক্যারাস্কো, জেএম; Alcántara, A. একটি নতুন অগ্রাধিকার-ভিত্তিক স্মার্ট গ্রিড নিয়ন্ত্রণ পদ্ধতি ব্যবহার করে শক্তি সঞ্চয়ের সর্বোত্তম সময়সূচী। শক্তি 2019, 12, 579। [ক্রসরেফ]
10. কোটসালোস, কে।; মিরান্ডা, আই.; সিলভা, এন.; Leite, H. নিম্ন ভোল্টেজ বিতরণ নেটওয়ার্কে একাধিক বিতরণ করা শক্তি সম্পদের সমন্বিত অপারেশনের জন্য একটি দিগন্ত অপ্টিমাইজেশান কন্ট্রোল ফ্রেমওয়ার্ক। শক্তি 2019, 12, 1182। [ক্রসরেফ]
11. শোকরি গাজাফরুদি, এ.; Prieto, J.; Corchado, এজেন্ট-ভিত্তিক স্থানীয় বিদ্যুৎ বাণিজ্যের জন্য জেএম ভার্চুয়াল সংস্থার কাঠামো। শক্তি 2019, 12, 1521। [ক্রসরেফ]
12. সুজানোভা, পি.; Rychtáriková, M.; সোট্টো মেয়র, টি.; হায়দার, এ. একটি স্বাস্থ্যকর, শক্তি-দক্ষ এবং আরামদায়ক অভ্যন্তরীণ পরিবেশ, একটি পর্যালোচনা। শক্তি 2019, 12, 1414। [ক্রসরেফ]
13. ফাইয়া, আর.; ফারিয়া, পি.; ভেল, জেড.; Spinola, J. একটি আবাসিক বাড়িতে সর্বোত্তম ব্যাটারি শক্তি সঞ্চয়ের সময়সূচী বিবেচনা করে পার্টিকেল সোয়ার্ম অ্যালগরিদম ব্যবহার করে ডিমান্ড রেসপন্স অপ্টিমাইজেশন। শক্তি 2019, 12, 1645। [ক্রসরেফ]
14. রাডাস্কি, WA; Hoad, R. স্মার্ট গ্রিডের উপর তিনটি উচ্চ ক্ষমতার ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক (এইচপিইএম) হুমকির প্রভাবগুলির একটি ওভারভিউ। ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক কম্প্যাটিবিলিটি-ইএমসি ইউরোপ, রোম, ইতালি, 17-21 সেপ্টেম্বর 2012-এর আন্তর্জাতিক সিম্পোজিয়ামের কার্যক্রমে।
15. কাপেনম্যান, জেজি; রাডাস্কি, WA; গিলবার্ট, জেএল; এরিনমেজ, এলএ অ্যাডভান্সড জিওম্যাগনেটিক স্টর্ম ফোরকাস্টিং: ইলেকট্রিক পাওয়ার সিস্টেম অপারেশনের জন্য একটি ঝুঁকি ব্যবস্থাপনা টুল। IEEE ট্রান্স। প্লাজমা বিজ্ঞান। 2000, 28, 2114-2121। [ক্রসরেফ]
16. গিরি, ডিভি হাই-পাওয়ার ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক রেডিয়েটরস: ননলেথাল ওয়েপনস এবং অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশন; হার্ভার্ড ইউনিভার্সিটি প্রেস: কেমব্রিজ, এমএ, মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র, 2004; ISBN 978-0-674-01569-2।
17. গিরি, ডিভি; Hoad, R.; সাবাথ, এফ. ইমপ্লিকেশনস অফ হাই-পাওয়ার ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক (এইচপিইএম) এনভায়রনমেন্টস অন ইলেকট্রনিক্স। IEEE ইলেক্ট্রোম্যাগন। কমপ্যাক্ট। ম্যাগ. 2020, 9, 37-44। [ক্রসরেফ]
18. আন্তর্জাতিক ইলেক্ট্রোটেকনিক্যাল কমিশন। 61000-2-13:2005|আইইসি ওয়েবস্টোর|ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক সামঞ্জস্য, EMC, স্মার্ট সিটি।
19. গিরি, ডিভি; Tesche, FM; বাউম, সিই হাই-পাওয়ার ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক (এইচপিইএম) রেডিয়টিং এবং কন্ডাক্টিং সিস্টেমের একটি ওভারভিউ। URSI রেডিও Sci. ষাঁড়. 2006, 2006, 6-12।
20. মর্টন, ডি.; ব্যানিস্টার, জে.; লেভিন, জে.; নাফ, টি.; স্মিথ, আই.; সেজে, এইচ.; ওয়ারেন, টি.; গিরি, ডিভি; মোরা, সি.; পাভলিঙ্কো, জে.; ইত্যাদি A 2MV,<300ps Risetime, 100Hz Pulser for Generation of Microwaves. In Proceedings of the 2010 IEEE International Power Modulator and High Voltage Conference, Atlanta, Georgia, 23–27 May 2010.
21. মর্টন, ডি.; ব্যানিস্টার, জে.; ডাসিলভা, টি.; লেভিন, জে.; নাফ, টি.; স্মিথ, আই.; সেজে, এইচ.; ওয়ারেন, টি.; গিরি, ডিভি; মোরা, সি.; ইত্যাদি HPM WBTS, একটি পরিবহনযোগ্য হাই-পাওয়ার ওয়াইড-ব্যান্ড মাইক্রোওয়েভ উৎস। 2010 IEEE ইন্টারন্যাশনাল পাওয়ার মডুলেটর এবং হাই ভোল্টেজ কনফারেন্সের কার্যধারায়, আটলান্টা, জর্জিয়া, 23-27 মে 2010।
22. বাউম, সিই; বেকার, WL; Prather, WD; লেহর, জেএম; O'Loughlin, JP; গিরি, ডিভি; স্মিথ, আইডি; Altes, R.; ফকলার, জে.; ম্যাকলেমোর, ডিএম; ইত্যাদি JOLT: একটি অত্যন্ত নির্দেশক, অত্যন্ত নিবিড়, আবেগ-সদৃশ রেডিয়েটর। Proc. IEEE 2004, 92, 1096-1109। [ক্রসরেফ]
23. বোয়িং: চ্যাম্প-লাইটস আউট। অনলাইনে উপলব্ধ: https://www.boeing.com/features/2012/10/bds-champ-10-22-12.page (16 এপ্রিল 2021 এ অ্যাক্সেস করা হয়েছে)।
24. মিডিয়া, O. Raytheon EMP অস্ত্র বোয়িং দ্বারা পরীক্ষিত, USAF গবেষণা ল্যাব-মিলিটারি এমবেডেড সিস্টেম।
25. টেস্টো 865 থার্মাল ইমেজার|থার্মাল ইমেজার|তাপমাত্রা|প্যারামিটারস|টেস্টো ইন্টারন্যাশনাল।
26. মিসরা, ডি. রেডিও-ফ্রিকোয়েন্সি এবং মাইক্রোওয়েভ কমিউনিকেশন সার্কিট: বিশ্লেষণ এবং নকশা; উইলি: নিউ ইয়র্ক, এনওয়াই, মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র, 2001; ISBN 978-0-471-41253-3।
27. ডান্সমোর, মাইক্রোওয়েভ কম্পোনেন্ট মেজারমেন্টের JP হ্যান্ডবুক: অ্যাডভান্সড ভিএনএ টেকনিকের সাথে, ২য় সংস্করণ; জন উইলি অ্যান্ড সন্স: হোবোকেন, এনজে, মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র, 2020; ISBN 978-1-119-47713-6।
28. কুয়েস্টার, ইএফ থিওরি অফ ওয়েভগাইডস এবং ট্রান্সমিশন লাইন; CRC প্রেস: Boca Raton, FL, USA, 2020; ISBN 978-1-315-37004-0।
29. Smolskiy, SM; কোচেমাসভ, ভিএন; বেলভ, এলএ হ্যান্ডবুক অফ আরএফ, মাইক্রোওয়েভ এবং মিলিমিটার-ওয়েভ কম্পোনেন্টস, ১ম সংস্করণ; আর্টেক হাউস: বোস্টন, এমএ, মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র; লন্ডন, যুক্তরাজ্য, 2012; আইএসবিএন 978-1-60807-209-5।
30. অ্যাপ্লিকেশন এক্সচেঞ্জ: পিরামিডাল হর্ন অ্যান্টেনা।
31. ইটিএস-লিন্ডগ্রেন পাবলিক ওয়েবসাইট শিল্ডিং।
For more information:1950477648nn@gmail.com






